檢索結果：共14筆資料 檢索策略： "Graphene".ekeyword (精準) and cadvisor.raw="柯文政"
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氮化鎵擁有高能隙、高電子飽和速度及高崩潰電場等優越特性，成為第三代 高頻、高功率應用元件之寬能隙半導體熱門材料。然而高功率操作下，元件產生 高溫，傳統金屬電極特性衰退，致使元件性能產生熱退化問題。因…
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下世代微發光二極體(Micro LED)顯示技術為追求更高解析度，LED晶粒需大幅縮小，然而當晶粒尺寸微縮時，亮度也隨之降低，增加注入電流維持顯示所需足夠亮度為最快解決方法。目前LED使用之氧化銦…
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近年來，第三代寬能隙半導體材料氮化鎵被廣泛應用於高頻及高功率元件，然而高功率操作下元件廢熱堆積，會使元件特性衰退，傳統金屬電極也有熱退化問題。本研究在氮化鎵高電子遷移率電晶體(GaN HEMT)基板…
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石墨烯是碳原子依六角形排列之二維材料,具有高電子遷移率、熱傳導度、機械特性與低片電阻等特性,相較於氧化銦錫,單層石墨烯在波長小於 280 nm下依舊維持>90 %之高穿透率,使其成為應用於深紫外光 …
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圖案化藍寶石基板(patterned sapphire substrate, PSS)具有降低氮化鎵磊晶薄膜貫穿型差排缺陷密度之效用，然而無圖案區域差排缺陷密度仍高。本研究在圖案化藍寶石基板上嵌入石…
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氮化鎵於矽基板上成長時，因晶格不匹配與熱膨脹係數差異引入應力，造成高密度差排缺陷，降低氮化鎵HEMT元件工作效能。本研究提出以石墨烯做為磊晶界面層，提升氮化鎵磊晶品質之方法。石墨烯是二維材料，垂直膜…
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本篇論文呈現了氮化鋁緩衝層結構之於石墨烯/藍寶石基板上製備高品質氮化鎵薄膜的重要性。本文使用低壓化學氣相沉積法（LPCVD）在在藍寶石基板上成長石墨烯。首先會在兩吋藍寶石基板上蒸鍍一層銅膜以便於獲取…
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氮化鎵為第三代高功率半導體熱門材料，在高功率動作下，元件將被施加更高偏壓，因此，如何提升氮化鎵薄膜材料品質以及提升薄膜電阻率攸關元件能否操作在更高功率。本研究針對上述問題提出使用石墨烯介面層結構，降…
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氮化鎵具備優異的電性表現已成為第三代寬能隙半導體熱門材料，由AlGaN/GaN異質結構形成之高電子遷移率電晶體已廣泛運用在手機快充與電動車電控系統。本實驗將針對氮化鎵成長在藍寶石基板上，面臨的兩大瓶…